50,8 mm / 100 mm AlN šablonas ant NPSS / FSS AlN šablonas ant safyro

Trumpas aprašymas:

AlN-On-Sapphire – tai medžiagų derinys, kuriame ant safyro pagrindo auginamos aliuminio nitrido plėvelės. Šioje struktūroje aukštos kokybės aliuminio nitrido plėvelė gali būti išauginta cheminio garų nusodinimo (CVD) arba organometrinio cheminio garų nusodinimo (MOCVD) būdu, todėl aliuminio nitrido plėvelė ir safyro pagrindas yra geras derinys. Šios struktūros privalumai yra tai, kad aliuminio nitridas pasižymi dideliu šilumos laidumu, dideliu cheminiu stabilumu ir puikiomis optinėmis savybėmis, o safyro pagrindas – puikiomis mechaninėmis ir šiluminėmis savybėmis bei skaidrumu.

Siųskite mums el. laišką

Produkto informacija

Produkto žymės

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire gali būti naudojamas įvairiems fotoelektriniams įtaisams gaminti, pavyzdžiui:
1. LED lustai: LED lustai paprastai gaminami iš aliuminio nitrido plėvelių ir kitų medžiagų. LED efektyvumą ir stabilumą galima pagerinti naudojant AlN-On-Sapphire plokšteles kaip LED lustų pagrindą.
2. Lazeriai: AlN ant safyro plokštelės taip pat gali būti naudojamos kaip lazerių, kurie dažniausiai naudojami medicinoje, ryšių ir medžiagų apdorojimo srityse, substratai.
3. Saulės elementai: Saulės elementų gamybai reikalingos tokios medžiagos kaip aliuminio nitridas. AlN-On-Sapphire kaip substratas gali pagerinti saulės elementų efektyvumą ir pailginti jų tarnavimo laiką.
4. Kiti optoelektroniniai įtaisai: AlN-On-Sapphire plokštelės taip pat gali būti naudojamos fotodetektoriams, optoelektroniniams įtaisams ir kitiems optoelektroniniams įtaisams gaminti.

Apibendrinant galima teigti, kad AlN ant safyro plokštelės yra plačiai naudojamos optoelektrinėje srityje dėl didelio šilumos laidumo, didelio cheminio stabilumo, mažų nuostolių ir puikių optinių savybių.

50,8 mm / 100 mm AlN šablonas ant NPSS / FSS

Prekė	Pastabos
Aprašymas	AlN-on-NPSS šablonas	AlN-on-FSS šablonas
Vaflinės skersmuo	50,8 mm, 100 mm
Substratas	c plokštumos NPSS	c plokštumos plokštuma Planar Sapphire (FSS)
Pagrindo storis	50,8 mm, 100 mm c plokštumos plokštuminis safyras (FSS) 100 mm: 650 µm
AIN epi sluoksnio storis	3–4 µm (tikslas: 3,3 µm)
Laidumas	Izoliacinės medžiagos
Paviršius	Užaugęs
	RMS <1nm	RMS <2nm
Užpakalinė pusė	Šlifuotas
FWHM(002)XRC	< 150 arksekundžių	< 150 arksekundžių
FWHM(102)XRC	< 300 arksekundžių	< 300 arksekundžių
Kraštų išskyrimas	< 2 mm	< 3 mm
Pirminė plokščia orientacija	A plokštuma +0,1°
Pirminis plokščias ilgis	50,8 mm: 16 +/- 1 mm 100 mm: 30 +/- 1 mm
Paketas	Supakuota siuntimo dėžutėje arba vieno vaflio talpykloje