Naujienos
-
Plonasluoksnis ličio tantalatas (LTOI): kita žvaigždės medžiaga greitaeigiams moduliatoriams?
Plonasluoksnė ličio tantalato (LTOI) medžiaga tampa reikšminga nauja jėga integruotos optikos srityje. Šiais metais buvo paskelbta keletas aukšto lygio darbų apie LTOI moduliatorius, o aukštos kokybės LTOI plokšteles pateikė Šanchajaus instituto profesorius Xin Ou...Skaityti daugiau -
Gilus SPC sistemos supratimas plokštelių gamyboje
SPC (statistinis procesų valdymas) yra labai svarbi plokštelių gamybos proceso priemonė, naudojama stebėti, valdyti ir gerinti įvairių gamybos etapų stabilumą. 1. SPC sistemos apžvalga SPC yra metodas, kuris naudoja statistiką...Skaityti daugiau -
Kodėl epitaksija atliekama ant plokštelės pagrindo?
Papildomo silicio atomų sluoksnio auginimas ant silicio plokštelės pagrindo turi keletą privalumų: CMOS silicio procesuose epitaksinis augimas (EPI) ant plokštelės pagrindo yra labai svarbus proceso žingsnis. 1. Kristalų kokybės gerinimas...Skaityti daugiau -
Vaflių valymo principai, procesai, metodai ir įranga
Šlapias valymas (angl. Wet Clean) yra vienas iš svarbiausių puslaidininkių gamybos procesų etapų, kuriuo siekiama pašalinti įvairius teršalus nuo plokštelės paviršiaus, kad vėlesni proceso etapai būtų atliekami ant švaraus paviršiaus. ...Skaityti daugiau -
Kristalų plokštumų ir kristalų orientacijos ryšys.
Kristalų plokštumos ir kristalų orientacija yra dvi pagrindinės kristalografijos sąvokos, glaudžiai susijusios su silicio pagrindu pagamintų integrinių grandynų technologijos kristalų struktūra. 1. Kristalų orientacijos apibrėžimas ir savybės Kristalų orientacija žymi konkrečią kryptį...Skaityti daugiau -
Kokie yra per stiklą (TGV) ir per silicį per TSV (TSV) procesų pranašumai, palyginti su TGV?
Stiklo intarpų (TGV) ir silicio intarpų (TSV) procesų pranašumai, palyginti su TGV, yra šie: (1) puikios aukšto dažnio elektrinės charakteristikos. Stiklas yra izoliacinė medžiaga, kurios dielektrinė konstanta yra tik apie 1/3 silicio medžiagos, o nuostolių koeficientas yra 2...Skaityti daugiau -
Laidžių ir pusiau izoliuotų silicio karbido substratų pritaikymas
Silicio karbido substratas skirstomas į pusiau izoliacinį ir laidųjį. Šiuo metu pagrindinė pusiau izoliuotų silicio karbido substrato gaminių specifikacija yra 4 coliai. Laidžiajame silicio karbido gaminyje...Skaityti daugiau -
Ar yra ir skirtumų, kaip naudojamos skirtingos kristalų orientacijos safyro plokštelės?
Safyras yra aliuminio oksido monokristalas, priklauso trišalei kristalų sistemai, šešiakampė struktūra, jo kristalinę struktūrą sudaro trys deguonies atomai ir du aliuminio atomai, esantys kovalentinių ryšių tipo, labai glaudžiai išsidėstę, su stipria jungimo grandine ir gardelės energija, o jo kristalinė struktūra...Skaityti daugiau -
Kuo skiriasi laidus SiC substratas ir pusiau izoliuotas substratas?
SiC silicio karbido įtaisas – tai įtaisas, pagamintas iš silicio karbido kaip žaliavos. Pagal skirtingas varžos savybes jis skirstomas į laidžius silicio karbido galios įtaisus ir pusiau izoliuotus silicio karbido radijo dažnių įtaisus. Pagrindinės įtaisų formos ir...Skaityti daugiau -
Straipsnis jus supažins su TGV meistru
Kas yra TGV? TGV (angl. Through-Glass Via) – tai technologija, leidžianti stiklo pagrinde sukurti kiaurymes. Paprastai tariant, TGV yra daugiaaukštis pastatas, kuriame stiklą perforuojami, užpildomi ir sujungiami elementai, siekiant sukurti integrinius grandynus ant stiklo paviršiaus...Skaityti daugiau -
Kokie yra plokštelių paviršiaus kokybės vertinimo rodikliai?
Nuolat tobulėjant puslaidininkių technologijoms, puslaidininkių pramonėje ir net fotovoltinių elementų pramonėje, plokštelės pagrindo arba epitaksinio lakšto paviršiaus kokybės reikalavimai taip pat yra labai griežti. Taigi, kokie yra kokybės reikalavimai...Skaityti daugiau -
Kiek žinote apie SiC monokristalų augimo procesą?
Silicio karbidas (SiC), kaip plačiajuosčio tarpo puslaidininkinė medžiaga, vaidina vis svarbesnį vaidmenį šiuolaikinio mokslo ir technologijų taikyme. Silicio karbidas pasižymi puikiu terminiu stabilumu, didele elektrinio lauko tolerancija, tiksliniu laidumu ir...Skaityti daugiau