Puslaidininkių įranga
-
Lazerinė apsaugos nuo padirbinėjimo žymėjimo sistema safyriniams pagrindams, laikrodžių ciferblatams, prabangiems papuošalams
-
SiC kristalų auginimo krosnis SiC luitų auginimas 4 colių 6 colių 8 colių PTV Lely TSSG LPE auginimo metodas
-
Mažas stalo lazerinis perforavimo aparatas, kurio minimali anga yra 1000 W–6000 W, gali būti naudojamas metalo stiklo keramikos medžiagoms.
-
Didelio tikslumo lazerinis gręžimo įrenginys safyro keramikos medžiagų brangakmenių guolių antgaliams gręžti
-
Safyro monokristalo Al2O3 auginimo krosnis KY metodu, naudojant Kyropoulos metodą, aukštos kokybės safyro kristalo gamybai.
-
Monokristalinio silicio auginimo krosnis, monokristalinio silicio luitų auginimo sistemos įranga, kurios temperatūra siekia iki 2100 ℃
-
Safyro kristalų auginimo krosnis. Čochralskio monokristalų krosnis. CZ metodas aukštos kokybės safyro plokštelei auginti.