Silicio ant izoliatoriaus substrato SOI trijų sluoksnių mikroelektronikai ir radijo dažniui

Trijų sluoksnių silicio izoliatoriaus substrato SOI plokštelė, skirta mikroelektronikai ir radijo dažnio vaizdui

Trumpas aprašymas:

Pilnas SOI pavadinimas Silicon On Insulator reiškia silicio tranzistoriaus struktūrą ant izoliatoriaus, principas yra tarp silicio tranzistoriaus, pridėkite izoliatoriaus medžiagą, todėl parazitinė talpa tarp dviejų gali būti mažesnė nei originalo.

Atsiųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Pristatome vaflių dėžutę

Pristatome mūsų pažangią silicio ant izoliatoriaus (SOI) plokštelę, kruopščiai sukonstruotą su trimis skirtingais sluoksniais, kuri iš esmės keičia mikroelektronikos ir radijo dažnio (RF) programas. Šis naujoviškas substratas sujungia viršutinį silicio sluoksnį, izoliacinį oksido sluoksnį ir apatinį silicio pagrindą, kad užtikrintų neprilygstamą našumą ir universalumą.

Sukurta atsižvelgiant į šiuolaikinės mikroelektronikos reikalavimus, mūsų SOI plokštelė suteikia tvirtą pagrindą sudėtingų integrinių grandynų (IC) gamybai, pasižyminčiai puikia sparta, energijos vartojimo efektyvumu ir patikimumu. Viršutinis silicio sluoksnis leidžia sklandžiai integruoti sudėtingus elektroninius komponentus, o izoliacinis oksido sluoksnis sumažina parazitinę talpą ir pagerina bendrą įrenginio veikimą.

RF taikymo srityje mūsų SOI plokštelė išsiskiria maža parazitine talpa, didele gedimo įtampa ir puikiomis izoliacinėmis savybėmis. Idealiai tinka RF jungikliams, stiprintuvams, filtrams ir kitiems RF komponentams, šis substratas užtikrina optimalų veikimą belaidžio ryšio sistemose, radarų sistemose ir kt.

Be to, mūsų SOI plokštelei būdingas atsparumas spinduliuotei, jis idealiai tinka aviacijos ir gynybos reikmėms, kur patikimumas atšiaurioje aplinkoje yra labai svarbus. Jo tvirta konstrukcija ir išskirtinės eksploatacinės savybės garantuoja pastovų veikimą net ir ekstremaliomis sąlygomis.

Pagrindinės funkcijos:

Trijų sluoksnių architektūra: viršutinis silicio sluoksnis, izoliacinis oksido sluoksnis ir apatinis silicio pagrindas.

Puikus mikroelektronikos našumas: leidžia gaminti pažangias IC su padidintu greičiu ir energijos vartojimo efektyvumu.

Puikus RF našumas: maža parazitinė talpa, didelė gedimo įtampa ir puikios RF įrenginių izoliacijos savybės.

Aviacijos ir kosmoso lygio patikimumas: būdingas atsparumas spinduliuotei užtikrina patikimumą atšiaurioje aplinkoje.

Universalus pritaikymas: tinka įvairioms pramonės šakoms, įskaitant telekomunikacijas, aviaciją, gynybą ir kt.

Patirkite naujos kartos mikroelektronikos ir radijo dažnių technologiją su mūsų pažangia izoliatoriaus silicio plokštele (SOI). Atraskite naujas naujovių galimybes ir skatinkite savo programų pažangą naudodami mūsų pažangiausią substrato sprendimą.