SOI plokštelių izoliatorius ant silicio 8 colių ir 6 colių SOI (Silicon-On-Insulator) plokštelių

Trumpas aprašymas:

Silicio ant izoliatoriaus (SOI) plokštelė, susidedanti iš trijų skirtingų sluoksnių, tampa kertiniu mikroelektronikos ir radijo dažnių (RF) taikomųjų programų akmuo. Šioje santraukoje paaiškinamos pagrindinės šio naujoviško substrato savybės ir įvairūs pritaikymai.

Atsiųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Pristatome vaflių dėžutę

Trijų sluoksnių SOI plokštelė, kurią sudaro viršutinis silicio sluoksnis, izoliacinis oksido sluoksnis ir apatinis silicio substratas, suteikia neprilygstamų pranašumų mikroelektronikos ir RF srityse. Viršutinis silicio sluoksnis, kuriame yra aukštos kokybės kristalinio silicio, palengvina sudėtingų elektroninių komponentų integravimą tiksliai ir efektyviai. Izoliacinis oksido sluoksnis, kruopščiai sukurtas taip, kad sumažintų parazitinę talpą, pagerina įrenginio veikimą, sumažindamas nepageidaujamus elektros trikdžius. Apatinis silicio substratas suteikia mechaninę atramą ir užtikrina suderinamumą su esamomis silicio apdorojimo technologijomis.

Mikroelektronikoje SOI plokštelė yra pažangių integrinių grandynų (IC), pasižyminčių puikiu greičiu, efektyvumu ir patikimumu, gamyboje. Jo trijų sluoksnių architektūra leidžia kurti sudėtingus puslaidininkinius įrenginius, tokius kaip CMOS (papildomas metalo oksido-puslaidininkis) IC, MEMS (mikroelektromechaninės sistemos) ir maitinimo įrenginius.

RF srityje SOI plokštelė demonstruoja puikų RF įrenginių ir sistemų projektavimo ir diegimo našumą. Dėl mažos parazitinės talpos, didelės gedimo įtampos ir puikių izoliavimo savybių jis yra idealus RF jungiklių, stiprintuvų, filtrų ir kitų RF komponentų substratas. Be to, SOI plokštelei būdinga spinduliuotės tolerancija leidžia ją naudoti aviacijos ir gynybos srityse, kur patikimumas atšiaurioje aplinkoje yra itin svarbus.

Be to, SOI plokštelės universalumas apima naujas technologijas, tokias kaip fotoninės integrinės grandinės (PIC), kur optinių ir elektroninių komponentų integravimas ant vieno pagrindo yra perspektyvus naujos kartos telekomunikacijų ir duomenų perdavimo sistemoms.

Apibendrinant galima pasakyti, kad trijų sluoksnių Silicon-On-Insulator (SOI) plokštelė yra mikroelektronikos ir radijo dažnių programų naujovių priešakyje. Jo unikali architektūra ir išskirtinės našumo charakteristikos atveria kelią pažangai įvairiose pramonės šakose, skatina pažangą ir formuoja technologijų ateitį.