SOI plokštelės izoliatorius ant silicio 8 colių ir 6 colių SOI (silicio ant izoliatoriaus) plokštelių

Trumpas aprašymas:

Silicio ant izoliatoriaus (SOI) plokštelė, sudaryta iš trijų skirtingų sluoksnių, tampa kertiniu akmeniu mikroelektronikos ir radijo dažnių (RF) taikymo srityje. Šioje santraukoje aiškinamos svarbiausios šio novatoriško substrato savybės ir įvairios taikymo sritys.


Produkto informacija

Produkto žymės

Vaflių dėžutės pristatymas

Trijų sluoksnių SOI plokštelė, sudaryta iš viršutinio silicio sluoksnio, izoliacinio oksido sluoksnio ir apatinio silicio pagrindo, suteikia neprilygstamų pranašumų mikroelektronikos ir radijo dažnių srityse. Viršutinis silicio sluoksnis, pagamintas iš aukštos kokybės kristalinio silicio, palengvina sudėtingų elektroninių komponentų integravimą tiksliai ir efektyviai. Izoliacinis oksido sluoksnis, kruopščiai suprojektuotas taip, kad sumažintų parazitinę talpą, pagerina įrenginio našumą, sumažindamas nepageidaujamus elektros trukdžius. Apatinis silicio pagrindas suteikia mechaninę atramą ir užtikrina suderinamumą su esamomis silicio apdorojimo technologijomis.

Mikroelektronikoje SOI plokštelė yra pagrindas pažangių integrinių grandynų (IC) gamybai, pasižyminčių dideliu greičiu, energijos vartojimo efektyvumu ir patikimumu. Trijų sluoksnių architektūra leidžia kurti sudėtingus puslaidininkinius įtaisus, tokius kaip CMOS (papildomos metalo oksido puslaidininkinės) IC, MEMS (mikroelektromechaninės sistemos) ir galios įtaisai.

RF srityje SOI plokštelė pasižymi puikiomis savybėmis projektuojant ir diegiant RF įrenginius ir sistemas. Dėl mažo parazitinio talpumo, didelės pramušimo įtampos ir puikių izoliacijos savybių ji yra idealus substratas RF jungikliams, stiprintuvams, filtrams ir kitiems RF komponentams. Be to, dėl SOI plokštelės būdingo atsparumo spinduliuotei ji tinka aviacijos ir kosmoso bei gynybos reikmėms, kur patikimumas atšiauriomis sąlygomis yra nepaprastai svarbus.

Be to, SOI plokštelės universalumas apima ir tokias besiformuojančias technologijas kaip fotoniniai integriniai grandynai (PIC), kur optinių ir elektroninių komponentų integravimas ant vieno pagrindo yra perspektyvus naujos kartos telekomunikacijų ir duomenų perdavimo sistemoms.

Apibendrinant, trijų sluoksnių silicio ant izoliatoriaus (SOI) plokštelė yra mikroelektronikos ir radijo dažnių (RF) taikymų inovacijų priešakyje. Unikali jos architektūra ir išskirtinės eksploatacinės savybės atveria kelią įvairių pramonės šakų pažangai, skatina pažangą ir formuoja technologijų ateitį.

Detali schema

asd (1)
asd (2)

  • Ankstesnis:
  • Toliau:

  • Parašykite savo žinutę čia ir išsiųskite ją mums