4 colių SiC plokštelės, 6H pusiau izoliuojantys SiC pagrindai, skirti pirminei, tyrimų ir demonstracinei klasei

4 colių SiC plokštelės, 6H pusiau izoliuojantys SiC pagrindai, pagrindinės, tyrimų ir demonstracinės klasės. Iliustracija.

Trumpas aprašymas:

Pusiau izoliuotas silicio karbido substratas formuojamas pjaustant, šlifuojant, poliruojant, valant ir taikant kitas apdorojimo technologijas po pusiau izoliuoto silicio karbido kristalo užauginimo. Ant substrato, atitinkančio epitaksijos kokybės reikalavimus, užauginamas sluoksnis arba daugiasluoksnis kristalo sluoksnis, o tada, derinant grandinės konstrukciją ir pakuotę, pagaminamas mikrobangų RF įtaisas. Galima įsigyti 2 colių, 3 colių, 4 colių, 6 colių ir 8 colių pramoninių, mokslinių tyrimų ir bandymų klasės pusiau izoliuotų silicio karbido monokristalų substratų.

Siųskite mums el. laišką

Savybės

Produkto specifikacija

Įvertinimas			Nulinio MPD gamybos laipsnis (Z laipsnis)			Standartinė gamybos klasė (P klasė)		Manekeno klasė (D klasė)
Skersmuo			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm ± 25 μm
Vaflinės orientacijos			Nuo ašies: 4,0° link < 1120 > ±0,5°, jei naudojamas 4H-N, Ašyje: <0001> ±0,5°, jei naudojamas 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Pirminė plokščioji orientacija		{10–10} ±5,0°
Pirminis plokščias ilgis		32,5 mm ± 2,0 mm
Antrinis plokščias ilgis		18,0 mm ± 2,0 mm
Antrinė plokščia orientacija		Silikoninė pusė į viršų: 90° pagal laikrodžio rodyklę nuo paviršiaus ±5,0°
Kraštų išskyrimas		3 mm
LTV / TTV / Lankas / Metmenys		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Šiurkštumas			C veidas				lenkų		Ra≤1 nm
			Si veidas	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Kraštų įtrūkimai, atsirandantys dėl didelio intensyvumo šviesos		Nėra						Bendras ilgis ≤ 10 mm, pavienis ilgis ≤2 mm
Šešiakampės plokštės, pagamintos iš didelio intensyvumo šviesos		Kaupiamasis plotas ≤0,05%						Kaupiamasis plotas ≤0,1%
Politipinės zonos, veikiamos didelio intensyvumo šviesos		Nėra						Kaupiamasis plotas ≤3%
Vizualiniai anglies intarpai		Kaupiamasis plotas ≤0,05%						Kaupiamasis plotas ≤3%
Silicio paviršiaus įbrėžimai veikiant didelio intensyvumo šviesai		Nėra						Kaupiamasis ilgis ≤1 * plokštelės skersmuo
Krašto lustai su dideliu intensyvumo šviesa		Neleidžiama ≥0,2 mm pločio ir gylio						Leidžiami 5, kiekvienas ≤1 mm
Silicio paviršiaus užterštumas dideliu intensyvumu		Nėra
Pakuotė		Daugiasluoksnė kasetė arba vieno vaflio konteineris