2 colių 50,8 mm safyro plokštelė C-Plane M-plokštuma R-plokštuma A-plokštuma Storis 350um 430um 500um

2 colių 50,8 mm safyro plokštelė C plokštuma M plokštuma R plokštuma A plokštuma Storis 350 um 430 um 500 um Teminis vaizdas

Trumpas aprašymas:

Safyras yra unikalaus fizinių, cheminių ir optinių savybių derinio medžiaga, dėl kurios ji yra atspari aukštai temperatūrai, šiluminiam smūgiui, vandens ir smėlio erozijai bei braižymui.

Siųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Įvairių orientacijų specifikacija

Orientacija	C(0001) – ašis		R(1-102) – ašis		M(10-10) -Ašis	A(11-20)-ašis
Fizinė nuosavybė	C ašyje yra krištolo šviesa, o kitose ašyse yra neigiama šviesa.C plokštuma plokščia, pageidautina supjaustyta.		R plokštuma šiek tiek sunkesnė nei A.		M plokštuma yra laiptuota dantyta, nelengva pjaustyti, lengvai pjaustoma.	A plokštumos kietumas yra žymiai didesnis nei C plokštumos, kuris pasireiškia atsparumu dilimui, atsparumu įbrėžimams ir dideliu kietumu;Šoninė A plokštuma yra zigzago plokštuma, kurią lengva pjauti;
Programos	C orientuoti safyro substratai naudojami III-V ir II-VI nusodintoms plėvelėms, tokioms kaip galio nitridas, iš kurio galima gaminti mėlynus LED gaminius, lazerinius diodus ir infraraudonųjų spindulių detektorių. Taip yra daugiausia dėl to, kad safyro kristalų augimo procesas išilgai C ašies yra brandus, kaina yra palyginti maža, fizinės ir cheminės savybės yra stabilios, o epitaksijos technologija C plokštumoje yra brandi ir stabili.		Į R orientuotas substrato augimas iš skirtingų nusodintų silicio ekstrasistalių, naudojamų mikroelektronikos integriniuose grandynuose. Be to, didelės spartos integrinės grandinės ir slėgio jutikliai taip pat gali būti suformuoti gaminant epitaksinio silicio augimo plėvelę.R tipo substratas taip pat gali būti naudojamas švino, kitų superlaidžių komponentų, didelio atsparumo rezistorių, galio arsenido gamyboje.		Jis daugiausia naudojamas nepolinėms / pusiau polinėms GaN epitaksinėms plėvelėms auginti, siekiant pagerinti šviesos efektyvumą.	A orientuotas į pagrindą sukuria vienodą skvarbą / terpę, o hibridinėje mikroelektronikos technologijoje naudojamas aukštas izoliacijos laipsnis.Aukštos temperatūros superlaidininkai gali būti gaminami iš A tipo pailgų kristalų.
Apdorojimo pajėgumas	Safyro substratas (PSS): Augimo arba ėsdinimo pavidalu, ant safyro pagrindo suprojektuojami ir gaminami specifiniai nanomastelio įprastos mikrostruktūros raštai, skirti valdyti LED šviesos išvesties formą ir sumažinti skirtumus tarp GaN, augančio ant safyro pagrindo. , pagerinkite epitaksijos kokybę, padidinkite vidinį šviesos diodo kvantinį efektyvumą ir padidinkite šviesos ištraukimo efektyvumą. Be to, safyro prizmė, veidrodis, objektyvas, skylė, kūgis ir kitos konstrukcinės dalys gali būti pritaikytos pagal kliento reikalavimus.
Turto deklaracija	Tankis	Kietumas	lydymosi temperatūra	Lūžio rodiklis (matomas ir infraraudonasis)	Perdavimas (DSP)	Dielektrinė konstanta
Turto deklaracija	3,98g/cm3	9 (mosas)	2053 ℃	1,762 ~ 1,770	≥ 85 %	11,58@300K C ašyje (9,4 A ašyje)

Išsami diagrama

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

Ankstesnis: 8 colių ličio niobato plokštelė LiNbO3 LN

Kitas: 2 colių 50,8 mm storis 0,1 mm 0,2 mm 0,43 mm safyro plokštelė C-plokštuma M-plokštuma R-plokštuma A-plokštuma

Parašykite savo žinutę čia ir atsiųskite mums

Produktų kategorijos