4H pusiau HPSI 2 colių SiC substrato plokštelė Production Dummy Research klasė

4H pusiau HPSI 2 colių SiC substrato plokštelė Gamyba Dummy Research klasės Teminis vaizdas

Trumpas aprašymas:

2 colių silicio karbido vieno kristalo substrato plokštelė yra aukštos kokybės medžiaga, pasižyminti išskirtinėmis fizinėmis ir cheminėmis savybėmis.Jis pagamintas iš didelio grynumo silicio karbido monokristalinės medžiagos, pasižyminčios puikiu šilumos laidumu, mechaniniu stabilumu ir atsparumu aukštai temperatūrai.Dėl didelio tikslumo paruošimo proceso ir aukštos kokybės medžiagų šis lustas yra viena iš labiausiai pageidaujamų medžiagų ruošiant didelio našumo elektroninius prietaisus daugelyje sričių.

Siųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Pusiau izoliuojančios silicio karbido substrato SiC plokštelės

Silicio karbido substratas daugiausia skirstomas į laidus ir pusiau izoliacinį tipą, laidus silicio karbido substratas į n tipo substratą daugiausia naudojamas epitaksiniams GaN pagrindu pagamintiems LED ir kitiems optoelektroniniams įrenginiams, SiC pagrindu pagamintiems galios elektroniniams įrenginiams ir kt. Izoliacinis SiC silicio karbido substratas daugiausia naudojamas GaN didelės galios radijo dažnio prietaisų epitaksinei gamybai.Be to, didelio grynumo pusiau izoliacija HPSI ir SI pusiau izoliacija skiriasi, didelio grynumo pusiau izoliacijos nešiklio koncentracija yra 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 diapazone, su dideliu elektronų mobilumu;Pusiau izoliacija yra didelio atsparumo medžiagos, varža yra labai didelė, paprastai naudojama mikrobangų prietaisų substratams, nelaidži.

Pusiau izoliacinė silicio karbido pagrindo lakšto SiC plokštelė

SiC kristalų struktūra nulemia jo fizinę, palyginti su Si ir GaAs, SiC turi fizikines savybes;draudžiamas juostos plotis yra didelis, beveik 3 kartus didesnis už Si, kad prietaisas veiktų aukštoje temperatūroje ir būtų ilgalaikis patikimumas;gedimo lauko stipris yra didelis, yra 1O kartų didesnis nei Si, siekiant užtikrinti, kad įrenginio įtampos talpa pagerintų įrenginio įtampos vertę;soties elektronų greitis yra didelis, yra 2 kartus didesnis nei Si, kad padidėtų prietaiso dažnis ir galios tankis;šilumos laidumas yra didelis, didesnis nei Si, šilumos laidumas yra didelis, šilumos laidumas yra didelis, šilumos laidumas yra didelis, šilumos laidumas yra didelis, didesnis nei Si, šilumos laidumas yra didelis, šilumos laidumas yra didelis.Didelis šilumos laidumas, daugiau nei 3 kartus didesnis nei Si, padidinantis įrenginio šilumos išsklaidymo pajėgumą ir įgyvendinantis įrenginio miniatiūrizavimą.