50,8 mm 2 colių GaN ant safyro Epi sluoksnio plokštelės

Trumpas aprašymas:

Kaip trečios kartos puslaidininkinė medžiaga, galio nitridas turi aukšto atsparumo aukštai temperatūrai, didelio suderinamumo, didelio šilumos laidumo ir plataus diapazono pranašumus.Pagal skirtingas substrato medžiagas galio nitrido epitaksinius lakštus galima suskirstyti į keturias kategorijas: galio nitrido galio nitrido, silicio karbido galio nitrido, safyro galio nitrido ir silicio galio nitrido.Silicio pagrindu pagamintas galio nitrido epitaksinis lakštas yra plačiausiai naudojamas gaminys, pasižymintis mažomis gamybos sąnaudomis ir brandžia gamybos technologija.

Siųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Galio nitrido GaN epitaksinio lakšto taikymas

Remiantis galio nitrido veikimu, galio nitrido epitaksinės lustai daugiausia tinka didelės galios, aukšto dažnio ir žemos įtampos įrenginiams.

Tai atsispindi:

1) Didelis dažnių diapazonas: didelis dažnių juostos tarpas pagerina galio nitrido įrenginių įtampos lygį ir gali išvesti didesnę galią nei galio arsenido įrenginiai, o tai ypač tinka 5G ryšio bazinėms stotims, kariniams radarams ir kitoms sritims;

2) Didelis konversijos efektyvumas: galio nitrido perjungimo galios elektroninių prietaisų varža yra 3 eilėmis mažesnė nei silicio prietaisų, o tai gali žymiai sumažinti įjungimo nuostolius;

3) Didelis šilumos laidumas: dėl didelio galio nitrido šilumos laidumo jis pasižymi puikiomis šilumos išsklaidymo savybėmis, tinka didelės galios, aukštos temperatūros ir kitų sričių prietaisams gaminti;

4) Elektrinio lauko stiprumo suskaidymas: nors galio nitrido elektrinio lauko stipris yra artimas silicio nitrido, dėl puslaidininkio proceso, medžiagų gardelės neatitikimo ir kitų veiksnių, galio nitrido prietaisų įtampos tolerancija paprastai yra apie 1000 V, o saugaus naudojimo įtampa paprastai yra mažesnė nei 650 V.

Prekė	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Matmenys	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Storis	4,5±0,5 um		4,5±0,5 um
Orientacija	C-plokštuma(0001) ±0,5°
Laidumo tipas	N tipo (be legiravimo)	N tipo (Si legiruotas)	P tipo (su Mg legiruota)
Atsparumas (3O0K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Vežėjo koncentracija	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilumas	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~10 cm²/Vs
Dislokacijos tankis	Mažiau nei 5x10⁸cm^-2(apskaičiuota pagal XRD FWHM)
Substrato struktūra	GaN „Sapphire“ (standartinis: SSP parinktis: DSP)
Naudojamas paviršiaus plotas	> 90 proc.
Paketas	Supakuota į 100 klasės švarių patalpų aplinką, į kasetes po 25 vnt arba į vieną plokštelių talpyklą, azoto atmosferoje.