Trečiosios kartos puslaidininkių kylanti žvaigždė: Galio nitridas ateityje turės keletą naujų augimo taškų

Palyginti su silicio karbido prietaisais, galio nitrido maitinimo įrenginiai turės daugiau pranašumų tais atvejais, kai tuo pačiu metu reikia efektyvumo, dažnio, tūrio ir kitų visapusiškų aspektų, pvz., galio nitrido pagrindu pagaminti įrenginiai buvo sėkmingai pritaikyti greitojo įkrovimo srityje. didelio masto.Tikimasi, kad atsiradus naujoms paskesnėms programoms ir nuolat žengiant į galio nitrido substrato paruošimo technologiją, GaN įrenginių tūris toliau didės ir taps viena iš pagrindinių technologijų, skirtų sąnaudoms mažinti ir efektyvumui, tvariam ekologiškam vystymuisi.

Šiuo metu trečiosios kartos puslaidininkinės medžiagos tapo svarbia strategiškai besiformuojančių pramonės šakų dalimi, taip pat tampa strateginiu tašku, kuriuo siekiama pasinaudoti naujos kartos informacinėmis technologijomis, energijos taupymu ir emisijų mažinimu bei nacionalinės gynybos saugumo technologijomis.Tarp jų galio nitridas (GaN) yra viena tipiškiausių trečiosios kartos puslaidininkinių medžiagų kaip plataus dažnio puslaidininkinė medžiaga, kurios juostos tarpas yra 3,4 eV.

Liepos 3 d. Kinija sugriežtino galio ir germanio gaminių eksportą, o tai yra svarbus politikos pakoregavimas, pagrįstas svarbiu galio, reto metalo, kaip „naujojo puslaidininkių pramonės grūdo“ atributu, ir jo plataus taikymo pranašumais. puslaidininkių medžiagų, naujosios energijos ir kitose srityse.Atsižvelgiant į šį politikos pasikeitimą, šiame dokumente bus aptariamas ir analizuojamas galio nitridas iš paruošimo technologijos ir iššūkių, naujų augimo taškų ateityje ir konkurencijos modelio aspektų.

Trumpa įžanga:
Galio nitridas yra tam tikra sintetinė puslaidininkinė medžiaga, kuri yra tipiškas trečiosios kartos puslaidininkinių medžiagų atstovas.Palyginti su tradicinėmis silicio medžiagomis, galio nitrido (GaN) pranašumai yra didelis juostos tarpas, stiprus elektrinis laukas, mažas atsparumas, didelis elektronų mobilumas, didelis konversijos efektyvumas, didelis šilumos laidumas ir maži nuostoliai.

Galio nitrido monokristalas yra naujos kartos puslaidininkinės medžiagos, pasižyminčios puikiomis eksploatacinėmis savybėmis, kurios gali būti plačiai naudojamos ryšių, radarų, buitinės elektronikos, automobilių elektronikos, energijos energijos, pramoninio lazerinio apdorojimo, prietaisų ir kitose srityse, todėl jo kūrimas ir masinė gamyba yra viso pasaulio šalių ir pramonės šakų dėmesio centre.

GaN taikymas

1--5G ryšio bazinė stotis
Belaidžio ryšio infrastruktūra yra pagrindinė galio nitrido radijo dažnių įrenginių taikymo sritis, kuri sudaro 50 proc.
2 - didelis maitinimo šaltinis
GaN „dvigubo aukščio“ funkcija turi didelį įsiskverbimo potencialą į didelio našumo plataus vartojimo elektroninius prietaisus, kurie gali atitikti greito įkrovimo ir įkrovimo apsaugos scenarijų reikalavimus.
3 – nauja energetinė transporto priemonė
Praktiniu požiūriu, dabartiniai trečios kartos puslaidininkiniai įtaisai automobilyje daugiausia yra silicio karbido įtaisai, tačiau yra tinkamų galio nitrido medžiagų, kurios gali išlaikyti galios įrenginių modulių sertifikavimą arba kitus tinkamus pakavimo būdus. vis tiek priima visa gamykla ir OEM gamintojai.
4 – duomenų centras
GaN galios puslaidininkiai daugiausia naudojami PSU maitinimo blokuose duomenų centruose.

Apibendrinant galima teigti, kad prasidėjus naujiems tolesniems pritaikymams ir nuolatiniams galio nitrido substrato paruošimo technologijos proveržiams, tikimasi, kad GaN įrenginių tūris toliau didės ir taps viena iš pagrindinių sąnaudų mažinimo ir efektyvumo bei tvarios ekologiškos plėtros technologijų.