SiC plokštelės yra puslaidininkiai, pagaminti iš silicio karbido.Ši medžiaga buvo sukurta 1893 m. ir puikiai tinka įvairioms reikmėms.Ypač tinka Schottky diodams, jungties barjeriniams Schottky diodams, jungikliams ir metalo oksido-puslaidininkiams lauko efekto tranzistoriams.Dėl didelio kietumo jis yra puikus pasirinkimas galingiems elektroniniams komponentams.
Šiuo metu yra du pagrindiniai SiC plokštelių tipai.Pirmoji yra poliruota plokštelė, kuri yra viena silicio karbido plokštelė.Jis pagamintas iš didelio grynumo SiC kristalų ir gali būti 100 mm arba 150 mm skersmens.Jis naudojamas didelės galios elektroniniuose įrenginiuose.Antrasis tipas yra epitaksinė kristalinė silicio karbido plokštelė.Šio tipo plokštelės gaminamos į paviršių pridedant vieną sluoksnį silicio karbido kristalų.Šis metodas reikalauja tiksliai kontroliuoti medžiagos storį ir yra žinomas kaip N tipo epitaksija.
Kitas tipas yra beta silicio karbidas.Beta SiC gaminamas aukštesnėje nei 1700 laipsnių Celsijaus temperatūroje.Alfa karbidai yra labiausiai paplitę ir turi šešiakampę kristalų struktūrą, panašią į wurtzitą.Beta forma yra panaši į deimantą ir naudojama kai kuriose programose.Tai visada buvo pirmasis pasirinkimas elektromobilių galios pusgaminiams.Keletas trečiųjų šalių silicio karbido plokštelių tiekėjų šiuo metu dirba su šia nauja medžiaga.
ZMSH SiC plokštelės yra labai populiarios puslaidininkinės medžiagos.Tai aukštos kokybės puslaidininkinė medžiaga, kuri puikiai tinka daugeliui pritaikymų.ZMSH silicio karbido plokštelės yra labai naudinga medžiaga įvairiems elektroniniams prietaisams.ZMSH tiekia platų aukštos kokybės SiC plokštelių ir substratų asortimentą.Jie yra N tipo ir pusiau izoliuotų formų.
2 --- Silicio karbidas: naujos plokštelių eros link
Silicio karbido fizinės savybės ir charakteristikos
Silicio karbidas turi ypatingą kristalų struktūrą, naudojant šešiakampę sandarią struktūrą, panašią į deimantą.Dėl šios struktūros silicio karbidas turi puikų šilumos laidumą ir atsparumą aukštai temperatūrai.Palyginti su tradicinėmis silicio medžiagomis, silicio karbidas turi didesnį juostos tarpo plotį, o tai užtikrina didesnį elektronų juostų atstumą, todėl yra didesnis elektronų mobilumas ir mažesnė nuotėkio srovė.Be to, silicio karbidas taip pat turi didesnį elektronų prisotinimo dreifo greitį ir mažesnę pačios medžiagos savitąją varžą, todėl užtikrina geresnį veikimą didelės galios įrenginiuose.
Silicio karbido plokštelių taikymo atvejai ir perspektyvos
Galios elektronikos programos
Silicio karbido plokštelė turi platų pritaikymo perspektyvą galios elektronikos srityje.Dėl didelio elektronų mobilumo ir puikaus šilumos laidumo SIC plokštelės gali būti naudojamos gaminant didelio galingumo tankio perjungimo įrenginius, tokius kaip elektrinių transporto priemonių galios moduliai ir saulės keitikliai.Silicio karbido plokštelių stabilumas aukštoje temperatūroje leidžia šiems įrenginiams veikti esant aukštai temperatūrai, o tai užtikrina didesnį efektyvumą ir patikimumą.
Optoelektroninės programos
Optoelektroninių prietaisų srityje silicio karbido plokštelės rodo savo unikalius pranašumus.Silicio karbido medžiaga pasižymi plačiomis juostos tarpo savybėmis, todėl optoelektroniniuose įrenginiuose galima pasiekti didelę fotono energiją ir mažus šviesos nuostolius.Silicio karbido plokštelės gali būti naudojamos didelės spartos ryšio prietaisams, fotodetektoriams ir lazeriams ruošti.Dėl puikaus šilumos laidumo ir mažo kristalų defektų tankio jis idealiai tinka aukštos kokybės optoelektroniniams prietaisams ruošti.
Outlook
Didėjant didelio našumo elektroninių prietaisų paklausai, silicio karbido plokštelės turi daug žadančią ateitį kaip medžiaga, pasižyminti puikiomis savybėmis ir plačiu pritaikymo potencialu.Nuolat tobulinant paruošimo technologiją ir mažinant sąnaudas, bus skatinamas silicio karbido plokštelių komercinis pritaikymas.Tikimasi, kad per ateinančius kelerius metus silicio karbido plokštelės pamažu pateks į rinką ir taps pagrindiniu pasirinkimu didelės galios, aukšto dažnio ir aukštos temperatūros įrenginiuose.
3 ---Išsami SiC plokštelių rinkos ir technologijų tendencijų analizė
Išsami silicio karbido (SiC) plokštelių rinkos veiksnių analizė
Silicio karbido (SiC) plokštelių rinkos augimui įtakos turi keli pagrindiniai veiksniai, todėl labai svarbu atlikti išsamią šių veiksnių poveikio rinkai analizę.Štai keletas pagrindinių rinkos veiksnių:
Energijos taupymas ir aplinkos apsauga: Dėl didelio našumo ir mažo energijos suvartojimo silicio karbido medžiagų savybės yra populiarios energijos taupymo ir aplinkos apsaugos srityse.Elektromobilių, saulės keitiklių ir kitų energijos konvertavimo įrenginių paklausa skatina silicio karbido plokštelių rinkos augimą, nes tai padeda sumažinti energijos švaistymą.
Galios elektronikos taikymas: Silicio karbidas puikiai tinka galios elektronikai ir gali būti naudojamas galios elektronikoje esant aukštam slėgiui ir aukštai temperatūrai.Populiarėjant atsinaujinančiai energijai ir skatinant elektros energijos perėjimą, silicio karbido plokštelių paklausa jėgos elektronikos rinkoje toliau auga.
SiC plokštelių ateities gamybos technologijų plėtros tendencijų išsami analizė
Masinė gamyba ir sąnaudų mažinimas: ateities SiC plokštelių gamyboje daugiau dėmesio bus skiriama masinei gamybai ir sąnaudų mažinimui.Tai apima patobulintus augimo būdus, tokius kaip cheminis nusodinimas iš garų (CVD) ir fizinis nusodinimas garais (PVD), siekiant padidinti produktyvumą ir sumažinti gamybos sąnaudas.Be to, tikimasi, kad įdiegus pažangius ir automatizuotus gamybos procesus dar labiau padidės efektyvumas.
Naujas plokštelių dydis ir struktūra: SiC plokštelių dydis ir struktūra ateityje gali keistis, kad atitiktų skirtingų programų poreikius.Tai gali apimti didesnio skersmens plokšteles, nevienalytes struktūras arba daugiasluoksnes plokšteles, kad būtų suteikta daugiau dizaino lankstumo ir našumo galimybių.
Energijos vartojimo efektyvumas ir ekologiška gamyba: SiC plokštelių gamyba ateityje daugiau dėmesio skirs energijos vartojimo efektyvumui ir ekologiškai gamybai.Atsinaujinančios energijos, ekologiškų medžiagų, atliekų perdirbimo ir mažai anglies dioksido į aplinką išskiriančių gamybos procesų varomos gamyklos taps gamybos tendencijomis.
Paskelbimo laikas: 2024-01-19