SiO2 plonos plėvelės terminio oksido silicio plokštelė 4 colių 6 colių 8 colių 12 colių

Trumpas aprašymas:

Mes galime tiekti aukštos temperatūros superlaidų plonasluoksnį substratą, magnetines plonas plėveles ir feroelektrinį plonasluoksnį substratą, puslaidininkinį kristalą, optinį kristalą, lazerinių kristalų medžiagas, tuo pačiu metu teikti orientaciją ir užsienio universitetus bei mokslinių tyrimų institutus, kad būtų užtikrinta aukšta kokybė (ypač sklandžiai, ypač). lygus, itin švarus)

Siųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Pristatome vaflių dėžutę

Pagrindinis oksiduoto silicio plokštelių gamybos procesas paprastai apima šiuos veiksmus: monokristalinio silicio auginimą, pjaustymą į plokšteles, poliravimą, valymą ir oksidavimą.

Monokristalinio silicio augimas: Pirma, monokristalinis silicis auginamas aukštoje temperatūroje tokiais metodais kaip Czochralski metodas arba plūduriuojančios zonos metodas.Šis metodas leidžia paruošti silicio pavienius kristalus, turinčius didelį grynumą ir gardelės vientisumą.

Pjaustymas kubeliais: išaugintas monokristalinis silicis paprastai yra cilindro formos ir turi būti supjaustytas plonais vafliais, kad būtų naudojamas kaip plokštelių substratas.Pjovimas dažniausiai atliekamas deimantiniu pjaustytuvu.

Poliravimas: nupjautos plokštelės paviršius gali būti nelygus ir reikalauja cheminio-mechaninio poliravimo, kad paviršius būtų lygus.

Valymas: poliruotas vaflis nuvalomas, kad pašalintų nešvarumus ir dulkes.

Oksidavimas: Galiausiai silicio plokštelės dedamos į aukštos temperatūros krosnį oksidaciniam apdorojimui, kad susidarytų apsauginis silicio dioksido sluoksnis, pagerinantis jo elektrines savybes ir mechaninį stiprumą, taip pat kaip izoliacinis sluoksnis integriniuose grandynuose.

Pagrindiniai oksiduoto silicio plokštelių naudojimo būdai yra integrinių grandynų gamyba, saulės elementų gamyba ir kitų elektroninių prietaisų gamyba.Silicio oksido plokštelės yra plačiai naudojamos puslaidininkinių medžiagų srityje dėl savo puikių mechaninių savybių, matmenų ir cheminio stabilumo, gebėjimo veikti aukštoje temperatūroje ir aukštame slėgyje, taip pat dėl gerų izoliacinių ir optinių savybių.

Jo privalumai yra pilna kristalų struktūra, gryna cheminė sudėtis, tikslūs matmenys, geros mechaninės savybės ir kt. Dėl šių savybių silicio oksido plokštelės yra ypač tinkamos didelio našumo integriniams grandynams ir kitiems mikroelektroniniams prietaisams gaminti.